quinta-feira, 5 de julho de 2012

Samsung Indústria amostras de 16 Gigabyte- tecnologia de memória DDR4


Samsung anunciou hoje que começou a amostragem o primeiro da indústria de 16 gigabyte (GB) Double Data Rate-4 (DDR4), registradas Dual Inline Memory Modules (RDIMMs), projetados para uso em sistemas de servidores corporativos.
Usando 30nm-class tecnologia de processo, a Samsung amostrados novo 8GB e 16GB DDR4 módulos em junho, além de proporcionar-lhes a CPU principal e fabricantes de controladores. Os módulos trará a maior densidade e níveis de desempenho para sistemas de servidores Enterprise Premium. Samsung já apresentou o primeiro da indústria de 30nm-class 2GB DDR4 módulo em dezembro de 2010.
Empregando arquitetura novo circuito para sistemas de computação, tecnologia DDR4 tem o melhor desempenho entre os produtos de memória disponíveis para os atuais sistemas de computação, que no próximo ano irá atingir o dobro dos atuais 1.600 megabits por segundo (Mbps) de memória DDR3 módulos baseados. Além disso, por processamento de dados muito mais eficiente em meros 1,2 volts, DDR4 Samsung módulos irá reduzir o consumo de energia em aproximadamente 40 por cento em relação aos seus antecessores módulos DDR3 que operam em 1.35V.
Samsung vai continuar trabalhando para a conclusão da padronização JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) de DDR4 tecnologias e especificações de produtos, que deverá ser realizado em agosto.
A empresa disse que vai trabalhar em estreita colaboração com seus clientes, incluindo OEMs de servidor, bem como fabricantes de CPU e controlador, para expandir a base de mercado para alta densidade DDR4 módulos, dos quais ele planeja começar a produção em volume no ano que vem. Também está definido para expandir o mercado geral de memória premium com suas mais avançadas de 20nm-class baseadas em produtos DRAM DDR4, que estarão disponíveis no próximo ano em densidades de até 32GB ..
Samsung tem vindo a liderar o avanço da tecnologia DRAM desde então se desenvolveu a indústria de DRAM DDR primeiro lugar em 1997. Em 2001, introduziu o DRAM DDR2 em primeiro lugar, e em 2005, anunciou o primeiro a utilizar DDR3 80nm-class tecnolo.gia


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